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硅料除碳研究意义半导体的性质在高纯状态下才能体现杂质控制是半导体材料最重要的问题杂质对半导体材料和器件的性能产生决定性影响研究杂质的性质、分布、杂质间的相互作用和对材料器件的影响硅材料中常见杂质的来源非金属：碳、氧、氮、氢在多晶硅和单晶硅生产中引入重金属：铁、铬、锰、钛、铜、金、银、铂来源于原材料和器件制造过程污染掺杂元素：硼、铝、磷、砷、锑、锂为了控制半导体的性能人为掺入杂质在硅晶体中的存在形式杂质原子可以处于晶格替代硅原子位置代位原子，或者晶格间的空隙位置间隙原子形成原子团沉淀，（几十到几百埃）形成复合体：杂质原子-空位，杂质原子-位错，杂质-杂质在硅的禁带中引入能级：浅能级杂质，深能级杂质，电中性杂质浅能级杂质杂质的电离能较低，在导带以下.–.人为加入硅材料，控制材料的导电性能例如杂质处于硅晶格位置，四个电子形成共价键，一个多余的电子可以被激发到硅的导带中，形成电子导电，电离能：.、.、.杂质位。

硅料除碳浙江台州股友：硅碳负极生产线建设实际是石墨稀和在硅材料上的锂电池负极，也是石墨稀电池的电极收藏本帖回复主题新型石墨烯纳米硅复合负极材料储锂性能的研究谢如松摘要：当今社会是个能源的社会，新型能源的开发与利用备受关注，锂离子电池作为二次可充电的化学电源具有优异的性能，如：高能量、低消耗、无记忆效应以及自放电小、内阻小、性价比高、污染少等优点，锂离子电池负极材料储锂性能的研究是提高锂离子电池性能的重要途径。硅与锂形成合金化合物的理论容量达到，是目前所研究各种合金中理论容量的，但是在脱嵌锂过程中硅的体积膨胀导致电极粉化，电池的循环稳定性差。石墨烯具有优良的电传导性、较高的比表面积、优异的热学性能和机械性能等优势，使得其有可能代替石墨成为新型的锂离子电池负极材料，但单纯的石墨烯理论容量仍不够高，这限制了它的应用。本文主要研究了新型石墨烯纳米硅复合负极材料的储锂性能，提出了一种通过共价连接提高石墨烯复合。

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