碳化硅的制备原理

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碳化硅的制备原理常压烧结碳化硅原理常压烧结碳化硅是新一代的高科技陶瓷，拥有许多优异的材料特性，包括高硬度、高强度、高刚性、质量轻及具有半导体特性，碳化硅制品的用途几乎涵盖每一个行业，如具有高耐磨性及高耐蚀性碳化硅轴封已广泛用于机械工业、化工工业、造纸、炼油工业。常压烧结碳化硅原理主要包括：将微米的颗粒粉磨加工成.微米；对原料进行化学提纯，主要是去除和；料浆制备：同时加入添加剂；喷雾干燥制粒，粒度在目之间；成采用冷压成型；修坯、干燥；烧成：在气保护下于以上进行高温烧结。碳化硅制品厂家版权所有上一条：反应烧结碳化硅原理下一条：碳化硅密封环的各种规格。

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碳化硅的制备原理石油大学北京机电工程学院材料系,北京摘要:碳化硅陶瓷材料由于具有耐磨、耐蚀、高温强度高、高热导、宽禁带等优良特性,被广泛应用于航空航天、石油化工、机械电子等领域。如果能攻克其比表面积低的缺陷,还将是一种催化剂载体的理想候选材料,它可被应用于一些高温、强腐蚀等苛刻反应条件中。而目前国内在这方面的研究尚未见公开的报道。本文将对近年来高比表面碳化硅材料的研究工作进行小结,阐述其制备原理、方法及应用,同时阐述了本研究小组下一步的研究方向。:高比表面积碳化硅催化剂载体中图分类号:文献标识码:引言基于碳化硅良好的导热性震性等优点,想候选材料,面积太小,质要求,。因此如何提高碳化硅的比表面积成为近年来的一项重要研究课题。然而国内目前在这方面的研究很少,真正制备出高比表面积碳化硅载体更未见公开的报道。孙莹等以糊精作为造孔剂和粘结剂制备出多孔,再负载用于催化正构烷烃的异构化反应,但此法制备的比表面积仍未有大的提高,催。